三星携手美企改善3纳米良率，希望赶超台积电(1/1)

IT之家 11 月 19 日音讯，征引韩媒 Naver 报道，三星曾经与美国的 Silicon Frontline Technology 公司协作，以进步其半导体芯片在消费过程中的良率，以便于在 3 纳米工艺上赶超台积电。报道中称，三星电子先进制程良率十分低，自 5 纳米制程开端不时存在良率问题，在 4 纳米和 3 纳米工艺上状况变得愈加糟糕。据传三星 3 纳米处置计划制程自量产以来，良率不超越 20%，量产进度堕入瓶颈。 ... [查看原文]

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