台积电3nm N3彻底露馅了！对比5nm N5简直毫无差别(1/1)

台积电3nm N3彻底露馅了！对比5nm N5简直毫无差别 固然谁都不愿意招认摩尔定律已死，但是制程工艺的提升越来越难了，台积电就在3nm上遇到了极大的省事。台积电曾经宣称，3nm N3工艺相比于5nm N5可将集成密度增加60-70％之多。但是，台积电的最新一份论文中招认， N3工艺的SRAM单元的面积为0.0199平方微米，相比于N5工艺的0.021平方微米只减少了区区5％！更糟糕的是，所谓的第二代3nm工艺N ... [查看原文]

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