台积电3纳米良率预算

来源：EETOP综合整理

在三星代工厂运用其 3GAE（3nm 级，gate-all-around early）节点开端大批量生产几个月后，台积电终于也开端了基于其首个 N3（3nm 级）制造工艺大范围生产芯片。

我们知道三星3纳米的良率很低，良率在早期阶段只需10% 到 20%不等。那么台积电3纳米良率会有多高？

最近Business Next发布了一份讲演，该讲演援用了各种行业剖析师和专家的话，以为相比于三星，台积电的良率状况要好得多，但台积电尚未证明这些讲演。

Business Next采访的半导体行业剖析师和专家估量，目前台积电的N3良率可低至60%至70%，或高达75%至80%，关于首批来说曾经相当不错。与此同时，金融剖析师 Dan Nystedt 在推特 上表示，台积电目前的 N3 良率与早期的 N5 良率相似，据媒体报道，该良率可能高达 80%。

相比之下，三星代工厂的 3GAE 良率在早期阶段从 10% 到 20% 不等，并且没有改善，该讲演征引行业音讯来源但未细致阐明。此外，讲演称，芯片质量的可变性十分高。

固然估量差别很大，但关于台积电当前的 N3 产量，有几件事需求留意。首先，我们不知道良率是针对经过台积电 Fab 18 运转的商业晶圆计算的，还是针对包含台积电客户各种 IP 的商业和穿越（测试）晶圆计算的。其次，除了台积电及其客户之外，没有人知道此时商用或穿越晶圆的确切良率。第三，假如我们只思索商业晶圆，目前台积电的N3用于早期采用者的设计数量十分有限，固然这是基于市场风闻。

请记住，台积电倾向于开发其抢先的生产技术，同时思索到苹果公司（其最大的客户和抢先节点的阿尔法客户）的请求，这家总部位于加利福尼亚州库比蒂诺的高科技巨头会依据台积电的才干量身定制其设计，初始良率可能高达 80% 也就缺乏为奇了。同时，关于为大众市场产品提供动力的芯片组（或多个芯片）而言，60% 的良率可能并不算高。

无论如何，由于台积电商业生产的 N3 设计数量目前有限（我们推测它简直不会超越三个 IC），并且与良率相关的数据是代工厂及其客户的商业秘密，我们不能精确知道台积电的N3良率到底有多高或多低，请自行判别。

事实上，出于同样的缘由，我们不会将台积电的 N3 良率与三星晶圆代工厂早期的 3GAE 良率进行比较。

此外，思索到有关初始 N3 节点（又名 N3B）的传言，Apple 可能是唯逐一家完整采用该技术的公司，由于其他开发商将运用具有改进工艺的 N3E。同时，早期的 N3 良率可能不适用于 N3E（ 及其 N3 技术系列中的其他节点），并且由于它将被普遍运用，这种工艺技术实践上是整个行业应该关怀的问题。

现代半导体生产技术包含数千个工艺步骤，并且取决于资料、运用的晶圆厂设备工具、工艺配方和许多其他要素。因而，可能有成千上万种进步或降低产量的措施，这就是为什么深化了解一个要素如何影响其他要素很重要的缘由。由于台积电的 N3 (N3B)、N3E、N3S、N3P 和 N3X 是十分不同的制造技术，所以早期的 N3 良率对其他节点来说是个好兆头，但它们并不能保障其他节点也会同样胜利（或不那么胜利）。